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参数目录39050
> IPB029N06N3 G E8187 MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
型号:
IPB029N06N3 G E8187
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Infineon Technologies
描述:
MOSFET N-CH 60V 120A TO263-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IPB029N06N3 G E8187 PDF
标准包装
1,000
系列
OptiMOS™
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
120A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
3.2 毫欧 @ 100A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
4V @ 118µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
165nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
13000pF @ 30V
功率 - 最大
188W
安装类型
表面贴装
封装/外壳
TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
供应商设备封装
PG-TO263-3
包装
带卷 (TR)
其它名称
IPB029N06N3GE8187ATMA1
SP000939334
查看IPB029N06N3 G E8187代理商
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